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IXTA3N60P	文件：227.72 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTM Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N60P	文件：299.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP3N60P	文件：295.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXTY3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTY3N60P	文件：308.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTY-3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KEMF3N60	文件：1.64437 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KF3N60D	文件：87.56 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=2.3A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N60D	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=2.3A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N60D	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF3N60D/I	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=2.3A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N60DI	文件：1.01371 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=2.3A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N60F	文件：97.51 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=3A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTA3N60P
功能描述：
MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTA3N60P	IXYS	24+	TO-263	8866		詢價(jià)
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更多IXTA3N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 15:30:00

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