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IXTH13N110

MEGA MOS FET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Fastswitchingtimes Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Motorcontrols ?Uninterruptible

IXYS

IXYS Corporation

IXTH13N110

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.92Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTH13N110

  • 功能描述：

    MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTH13N110供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 10:00:00

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