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IXTA8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA8N50P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP8N50P	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP8N50PM	文件：112.09 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MS8N50	文件：413.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF8N50	文件：736.75 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB8N50E	文件：332.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB8N50E	文件：162.7 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES500VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTH8N50E	文件：631.7 Kbytes Page：6 Pages	TMOSE-FETHighEnergyPowerFETN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE-FETHighEnergyPowerFET N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET8.0AMPERESrDS(on)=.0.8OHMS500VOLTS	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTH8N50E	文件：293.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTN8N50FP	文件：287.62 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP8N50	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP8N50E	文件：122.79 Kbytes Page：2 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES500VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP8N50E	文件：295.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP8N50E	文件：158.6 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.8OHM	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTW8N50E	文件：322.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTW8N50E	文件：70.11 Kbytes Page：2 Pages	TMOSEFETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PHB8N50E	文件：90.76 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES ?Repe	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB8N50E	文件：1.10603 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTA8N50P
功能描述：
MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IXTA8N50P	Littelfuse/IXYS	23+	TO-263	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IXTA8N50P	IXYS/艾賽斯	24+	TO-263	501591	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	IXTA8N50P	IXYS	24+	TO-263	563		詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IXTA8N50P	IXYS	23+	TO-263	9500	專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXTA8N50P	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IXTA8N50P	IXYS	23+	TO-263-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IXTA8N50P	IXYS/艾賽斯	1630+	TO-263	5233	代理品牌	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTA8N50P	IXYS	2020+	TO-263	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXTA8N50P	NXP/恩智浦	23+	TO-263	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢(xún)價(jià)
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更多IXTA8N50P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:47:00

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