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IXTH30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：372.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IXTV30N60P	文件：276.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTV30N60PS	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
K30N60HS	文件：435.61 Kbytes Page：14 Pages	HIGHSPEEDIGBTINNPT-TECHNOLOGY HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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KW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MGW30N60	文件：214.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGY30N60D	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	Motorola Motorola, Inc	Motorola
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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中天科工半導體（深圳）有限公司	IXTH30N60P	IXYS	24+	TO-247(IXTH)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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更多IXTH30N60P供應(yīng)商更新時間2024-10-25 21:12:00

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