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IXTH120P065T

TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTA120P065T

TrenchPTMPowerMOSFETsP-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTP120P065T

TrenchPTMPowerMOSFETsP-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXTH120P065T

  • 功能描述:

    MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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更多IXTH120P065T供應商 更新時間2024-10-25 21:12:00