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IXTH200N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH200N10T

TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

IXTK200N10P

PolarHTTMPowerMOSFET

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTK200N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTN200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTR200N10P

PolarTMHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTV200N10T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTV200N10TS

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

RSD200N10

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTH200N10T

  • 功能描述：

    MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
7814
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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85
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IXYS
22+
NA
890
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更多IXTH200N10T供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 21:12:00

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