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STGW80H65DFB

High speed switching series

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW80H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW80H65DFB

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 120A 469W TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW80H65DFB-4

Tight parameter distribution

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW80H65DFB-4

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-247-4 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Tightparameterdistribution

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA80H65DFBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features ?AEC-Q101qualified ?High-speedswitchingseries ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?LowVCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?PositivetemperatureVCE(sat)coefficient ?Softandveryfastrecoveryantiparallel

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA80H65FBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWT80H65DFB

Highspeedswitchingseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWT80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWT80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGY80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGW80H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,80A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.1mJ(開(kāi)),1.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    84ns/280ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,80A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
23+
TO-247
10000
原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單
詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-247
7040
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST
新年份
TO247
28227
優(yōu)勢(shì)價(jià)格原裝現(xiàn)貨提供BOM一站式配單服務(wù)
詢價(jià)
ST
23+
TO247
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
23+
TO-247
1500
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
ST
21+
TO247
10000
勤思達(dá)只做原裝 現(xiàn)貨庫(kù)存 支持支持實(shí)單
詢價(jià)
ST(意法)
21+
5000
只做原裝 假一罰百 可開(kāi)票 可售樣
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
6004
原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票
詢價(jià)
更多STGW80H65DFB供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-9-23 17:39:00