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STGWA30N120KD

Marking：GWA30N120KD；Package：TO-247；30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA30N120KD

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

FGA30N120FTD

1200V,30ATrenchIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGA30N120FTDTU

1200V,30ATrenchIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH30N120FTD

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features ?Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH30N120FTDTU

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features ?Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGW30N120H

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FGW30N120HD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

G30N120CN

75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

GW30N120KD

30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWA30N120KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.85V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/251ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 220W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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更多STGWA30N120KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-30 17:16:00

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