首頁>STGW80H65DFB>規(guī)格書詳情

STGW80H65DFB分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW80H65DFB
廠商型號

STGW80H65DFB

參數屬性

STGW80H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 120A 469W TO-247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
IGBT 650V 120A 469W TO-247

絲印標識

GW80H65DFB

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

1.46448 Mbytes

頁面數量

22

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 23:00:00

STGW80H65DFB規(guī)格書詳情

STGW80H65DFB屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGW80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGW80H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,80A

  • 開關能量:

    2.1mJ(開),1.5mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    84ns/280ns

  • 測試條件:

    400V,80A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導體)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
詢價
ST/意法
23+
NA/
16
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
ST/意法
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現貨,可提供技術支持、樣品免費!
詢價
ST/意法半導體
2023
TO-247-3
6000
公司原裝現貨/支持實單
詢價
ST(意法半導體)
23+
TO247S
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
詢價
ST
23+
TO-247
12500
ST系列在售,可接長單
詢價
ST
21+
TO247
10000
全新原裝現貨
詢價
ST
22+23+
TO-247
15172
絕對原裝正品全新進口深圳現貨
詢價
NA
23+
NA
26094
10年以上分銷經驗原裝進口正品,做服務型企業(yè)
詢價
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
詢價