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STGW80H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGW80H65DFB |
參數(shù)屬性 | STGW80H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed |
文件大小 |
1.46448 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
22 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-10-25 22:56:00 |
STGW80H65DFB規(guī)格書詳情
STGW80H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGW80H65DFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,80A
- 開關(guān)能量:
2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
84ns/280ns
- 測試條件:
400V,80A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
IGBT 650V 120A 469W TO-247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST代理直營 |
24+ |
TO-247 |
8000 |
只做原裝,直接聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-247 |
2400 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO247S |
6000 |
誠信服務(wù),絕對原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO247 |
10000 |
原裝,品質(zhì)保證,請來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023 |
TO-247-3 |
6000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-247 |
10000 |
只做原裝 假一賠萬 |
詢價(jià) | ||
ST專家 |
TO-247-3 |
23500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) |