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STGW80H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW80H65DFB
廠商型號

STGW80H65DFB
參數(shù)屬性

STGW80H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 120A 469W TO-247
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
IGBT 650V 120A 469W TO-247
文件大小

1.46448 Mbytes
頁面數(shù)量

22 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時(shí)間

2024-10-25 22:56:00

STGW80H65DFB規(guī)格書詳情

STGW80H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGW80H65DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關(guān)能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST代理直營
24+
TO-247
8000
只做原裝，直接聯(lián)系
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
ST
22+
TO-247
2400
全新原裝
 詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO247S
6000
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
 詢價(jià)
ST
21+
TO247
10000
原裝,品質(zhì)保證,請來電咨詢
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
2023
TO-247-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-247
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TO-247-3
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ST(意法半導(dǎo)體)
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