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STGWT80H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGWT80H65DFB |
| 參數(shù)屬性 | STGWT80H65DFB 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| 功能描述 | High speed switching series |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
978.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-25 23:00:00 |
| 人工找貨 | STGWT80H65DFB價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGWT80H65DFB規(guī)格書詳情
STGWT80H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGWT80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGWT80H65DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
- 開關(guān)能量：
2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
84ns/280ns
- 測試條件：
400V，80A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-3P |
1118 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
ST |
17+ |
TO3P |
13 |
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詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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ST |
2023+ |
TO-3P |
6000 |
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詢價 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
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詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO3P3 |
6000 |
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詢價 | ||
ST |
2023 |
TO-3P |
4700 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO3P |
5000 |
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可開增值稅13點 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 |
