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STGWT80H65FB

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80H65FB

包裝：管件 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65DFB

Highspeedswitchingseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFB

Tightparameterdistribution

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65DFBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features ?AEC-Q101qualified ?High-speedswitchingseries ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?LowVCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?PositivetemperatureVCE(sat)coefficient ?Softandveryfastrecoveryantiparallel

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65FB

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA80H65FBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80H65DFB

Highspeedswitchingseries

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGY80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT80H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關(guān)能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
STMicroelectronics
24+
TO-3P-3,SC-65-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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STMicroelectronics
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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STM
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TO-3P
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ST
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TO3P
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268963鄒小姐
 詢價(jià)
更多STGWT80H65FB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:36:00

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