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STGW80H65DFB-4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
STGW80H65DFB-4 |
參數(shù)屬性 | STGW80H65DFB-4 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
功能描述 | Tight parameter distribution |
封裝外殼 | TO-247-4 |
文件大小 |
937.25 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-26 20:00:00 |
人工找貨 | STGW80H65DFB-4價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGW80H65DFB-4規(guī)格書詳情
STGW80H65DFB-4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGW80H65DFB-4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGW80H65DFB-4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,80A
- 開關(guān)能量:
2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
84ns/280ns
- 測試條件:
400V,80A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應商器件封裝:
TO-247-4
- 描述:
IGBT BIPO 650V 80A TO247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO247-4 |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
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1621+ |
TO-247-4 |
750 |
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ST |
24+ |
TO-247-4 |
39500 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
8000 |
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ST全系列 |
22+23+ |
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ST(意法半導體) |
23+ |
TO-247-4 |
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ST |
23+ |
TO247-4 |
16900 |
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25+ |
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