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STGB10HF60KDT4	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	Marking：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10HF60KDT4	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	Marking：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10M65DF2	文件：1.14052 Mbytes Page：19 Pages	Marking：G10M65DF2；Package：D2PAK；Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D2PAK package Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10M65DF2_V01	文件：1.14052 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D2PAK package Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10N60L	文件：88.68 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT N-CHANNEL10A-600VD2PAKLOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK(TO-263)POWERPACKAGEINTUBE(NOSUFFIX)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	文件：92.54 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL CLAMPED 10A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperformances.Thebuiltincollector-gatezenerexhibitsaverypreciseactiveclampingwhilethegate-emitt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	Marking：GB10NB37LZ；Package：D2PAK；10 A - 410 V internally clamped IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ_V01	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	10 A - 410 V internally clamped IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10NB37LZT4	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	Marking：GB10NB37LZ；Package：D2PAK；10 A - 410 V internally clamped IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD_V01	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
STGP30NC60S
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，20A
開關(guān)能量：
300μJ（開），1.28mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
21.5ns/180ns
測試條件：
480V，20A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
IGBT 600V 55A 175W TO220

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	STGP30NC60S	ST/意法	17+	TO-220	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STGP30NC60S	ST	24+	TO220ABNONISOL	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	STGP30NC60S	STMicro.	23+	TO-220	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	STGP30NC60S	ST全系列	25+23+	TO-220	25874	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STGP30NC60S	ST	1926+	TO-220AB	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市興燦科技有限公司	STGP30NC60S	STM原廠目錄	24+	TO-220	28500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	STGP30NC60S		22+	NA	3000	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	STGP30NC60S	ST/意法	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	STGP30NC60S	ST/意法	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市源澤芯電子有限公司	STGP30NC60S	ST	19+	TO-220	500	進口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實單	詢價

更多STG供應(yīng)商更新時間2025-4-20 14:00:00

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