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STGB10N60L	文件：88.68 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT N-CHANNEL10A-600VD2PAKLOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK(TO-263)POWERPACKAGEINTUBE(NOSUFFIX)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10N60	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT APPLICATIONS ■ELECTRONICIGNITION ■LIGHTDIMMER ■STATICRELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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SVF10N60AT	文件：1.10771 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SVF10N60T	文件：1.10769 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SVFP10N60CAFJ	文件：291.71 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.72 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.75 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.74 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJH	文件：291.71 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJH	文件：291.72 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJH	文件：291.74 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SW10N60	文件：799.21 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW10N60D	文件：687.16 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220FMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWF10N60	文件：799.21 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP10N60	文件：799.21 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP10N60	文件：1.12099 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
T10N60	文件：1.03488 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TFF10N60	文件：3.28337 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET10A,600V,0.75廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團(tuán)）有限公司	TAK_CHEONG
TFP10N60	文件：3.22886 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET10A,600V,0.75廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子（集團(tuán)）有限公司	TAK_CHEONG

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STGB10N60L
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	STGB10N60L	ST/意法	23+	SOT263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	STGB10N60L	ST/意法	21+	SOT263	42560	一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	STGB10N60L	ST/意法	2236+	SOT263	29036	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	STGB10N60L	ST/意法	24+	SOT263	29036		詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	STGB10N60L	ST		TO-263D2PAK	93480	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	STGB10N60L	ST/意法	23+	SOT263	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	STGB10N60LT4	STM	1709+	TO-263	32500	普通	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STGB10NB37	ST	2018+	TO263	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫(kù)存放心	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	STGB10NB37LZ	STMICROELEC	24+	原封裝	4800	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	STGB10NB37LZ	ST	06+	?TO-263	1000	自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨	詢價(jià)

更多STGB10N60L供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 13:00:00

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