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STGW19NC60H

Marking:GW19NC60H;Package:TO-247;19 A - 600 V - very fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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STGW19NC60H

19 A - 600 V - very fast IGBT

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STGW19NC60H

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 42A 140W TO-247

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STGW19NC60HD

19 A - 600 V - very fast IGBT

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19 A - 600 V - very fast IGBTE[

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Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 42A 140W TO247

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GB19NC60H

19A-600V-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

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GB19NC60K

20A-600V-shortcircuitruggedIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW19NC60H

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    85μJ(開),189μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/97ns

  • 測試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 42A 140W TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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