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IXGH17N100A

Low V IGBT High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXYS Corporation

IXGH17N100A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXGH17N100A

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

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IXGH17N100AU1

Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode

Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?IGBTandanti-parallelFREDinone package ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

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IXGH17N100AU1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

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IXGH17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXYS Corporation

IXGH17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXYS Corporation

IXGM17N100A

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH17N100A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，17A

  • 開關(guān)能量：

    3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    100ns/500ns

  • 測試條件：

    800V，17A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGH17N100A供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 9:00:00

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