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IXGM17N100A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100A

Low V IGBT High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-204AE 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：POWER MOSFET TO-3

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100A

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGM17N100A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，17A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    3mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    100ns/500ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，17A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204AE

  • 描述：

    POWER MOSFET TO-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IXYS
2022+
TO-204AE
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢(xún)價(jià)
IXYS
24+
TO-204AE
9350
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
IXYS
2023+
TO204AE
3570
全新原廠(chǎng)原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
 詢(xún)價(jià)
24+
TO-3
221
詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
專(zhuān)業(yè)鐵帽
TO-3
120
原裝鐵帽專(zhuān)營(yíng),代理渠道量大可訂貨
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
專(zhuān)業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-3
10000
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
IXYS
2023+
97
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IXYS
24+
97
35210
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢(xún)價(jià)
更多IXGM17N100A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 9:01:00

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