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IXGH28N120B

High Voltage IGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

IXYS

IXYS Corporation

IXGH28N120BD1

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS

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IXGH28N120BD1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO247

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IXGP28N120B

HighVoltageIGBT

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IXGQ28N120B

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackage ?IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ?Savesspace(two

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IXYS Corporation

IXGT28N120B

HighVoltageIGBT

Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXGH28N120B

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
TO-247
8866
詢價
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23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-247
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
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24+
TO-247
1499
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24+
TO-247
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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TO-3P
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原裝正品,假一罰十
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TO-247
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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更多IXGH28N120B供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 15:30:00

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