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IXGM17N100

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

Low V IGBT High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXYS Corporation

IXGM17N100A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXYS Corporation

IXGM17N100A

Low V IGBT High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXGM17N100A

Package：TO-204AE；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：POWER MOSFET TO-3

IXYS

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IXGH17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXGH17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXGH17N100A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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IXGH17N100A

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXGM17N100

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 34 Amps 1000V 3.5 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-204AE
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS
25+
TO-204AE
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
IXYS
2025+
TO204AE
3570
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
24+
TO-3
221
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
專業(yè)鐵帽
TO-3
120
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
專業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-3
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO-3
71436
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢價(jià)
IXYS
2016+
TO-3
6526
只做原裝正品!假一賠十!只要有上一定有貨的!
 詢價(jià)
更多IXGM17N100供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-10 9:03:00

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