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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IXGH30N120IH	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 50A TO-247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGT30N120NDA	文件：592.77 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT30N120NDH	文件：593.17 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
NGTB30N120IHLWG	文件：162.73 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHRWG	文件：182.02 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHSWG	文件：173.62 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120LWG	文件：177.65 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RLPGB30N120CT	文件：865.74 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLPGB30N120LCT	文件：1.61826 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SCT30N120	文件：800.69 Kbytes Page：13 Pages	Lowcapacitance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGWA30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IXGH30N120IH
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 50A TO-247

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	IXGH30N120IH	IXYS	23+	TO247	28	原裝環(huán)保房間現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	IXGH30N120IH	IXYS	0628+	TO247	28	剛到現(xiàn)貨加微13425146986	詢價(jià)
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更多IXGH30N120IH供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 17:10:00

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