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IXFP10N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.74Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP10N60P

Polar HiPerFET Power MOSFET

Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S

IXYS

IXYS Corporation

IXFP10N60P

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP10N60P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXGA10N60

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGA10N60A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N60

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N60A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGP10N60

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

IXYS

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IXGP10N60A

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IXYS

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFP10N60

  • 功能描述：

    MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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TO-220
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3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
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IXYS
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11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多IXFP10N60供應商 更新時間2025-3-9 9:29:00

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