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IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N60AU1	文件：110.85 Kbytes Page：6 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?IGBTandanti-parallelFREDinone package ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiodeFRED) -softr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：367.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTI10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：295.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤740m?@VGS=10V ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP10N60PM	文件：53.27 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Plasticovermoldedtabforelectricalisolation ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60PM	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?Staticdrain-sourceon-resistance :RDS(on)≤0.74?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Idealforhigh-frequen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
JCS10N60BT	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N60BT-O-B-N-B	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXGH10N60A
制造商：
IXYS Corporation
功能描述：
IXGH Series 600 Vce 20 A 100 ns t(on) IGBT w/ Diode - TO-247AD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGH10N60A	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGH10N60A	IXYS	24+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時(shí)可以發(fā)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	IXGH10N60A	IXYS	24+	TO-247	1499		詢(xún)價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	21+	TO-3P	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	2022	TO-3P	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	22+	TO-247	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司	IXGH10N60A	IXFH	8835		2	公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣(mài)中!	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXGH10N60A	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)

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