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IXFT50N60P3

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IXFT50N60P3

Polar3 HiperFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFT50N60P3

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFT50N60P3_V01

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFX32N50

IXYS
TO-247

IXYS

IXYS Corporation

上傳:深圳市凌旭科技有限公司

IXYS

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXFT50N60P3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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更多IXFT50N60P3供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 8:30:00