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IXGP10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 20A 100W TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：367.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTI10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTP10N60P	文件：295.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤740m?@VGS=10V ?Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTP10N60PM	文件：53.27 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Plasticovermoldedtabforelectricalisolation ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60PM	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?Staticdrain-sourceon-resistance :RDS(on)≤0.74?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverter ?Idealforhigh-frequen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
JCS10N60BT	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N60BT-O-B-N-B	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N60C	文件：730.48 Kbytes Page：10 Pages	LEDpowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS10N60CT-O-C-N-B	文件：1.05609 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical20pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXGP10N60A
制造商：
IXYS
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，10A
輸入類型：
標準
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 20A 100W TO220AB

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	IXGP10N60A	DIODES/美臺	23+	TO-220AB	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS	22+	TO220AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS	21+	TO220AB	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXGP10N60A	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS	2022+	TO-220AB	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IXGP10N60A	IXYS/艾賽斯	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	IXGP10N60A	IXYS/艾賽斯	24+	TO220	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXGP10N60A	IXYS	24+	TO-TO-220	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價

更多IXGP10N60A供應商更新時間2024-12-27 9:00:00

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