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IXFT140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
CEB140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP140N10	文件：1.63854 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP140N10	文件：388.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEWP140N10	文件：544.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,150A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-3Ppackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR140N10ANFG	文件：4.53139 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10PG	文件：4.63559 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10RG	文件：3.6961 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FQA140N10	文件：362.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQA140N10	文件：649.58 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQH140N10	文件：328.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQH140N10	文件：679.96 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXFH140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ140N10P	文件：301.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MCP140N10Y	文件：748.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
RU140N10R	文件：455.35 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU140N10R	文件：1.59965 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFT140N10P
功能描述：
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFT140N10P	IXYS	24+	TO-268AA	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司	IXFT140N10P	IXS	15+	原廠(chǎng)原裝	745	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IXFT140N10P	IXYS/艾賽斯	21+	TO-268	500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IXFT140N10P	IXYS/艾賽斯	22+	TO-268	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢(xún)價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	IXFT140N10P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268S	65493	原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	IXFT140N10P	DISCRETE	5	IXS	745		詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	IXFT140N10P	IXYS	24+	TO-268	8866		詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFT140N10P	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IXFT140N10P	IXYS	23+	TO-220	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	IXFT140N10P	IXYS	725		313	原裝正品	詢(xún)價(jià)

更多IXFT140N10P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 20:18:00

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