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IXFP10N60P	文件：396.93 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：367.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTI10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細參數(shù)

型號：
IXFP10N60P
功能描述：
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFP10N60P	IXYS	24+	TO-220-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IXFP10N60P	Littelfuse/IXYS	23+	TO-220	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳和潤天下電子科技有限公司	IXFP10N60P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	65000	原裝正品華強現(xiàn)貨	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXFP10N60P	IXYS	24+	TO-220	155		詢價
深圳市達恩科技有限公司	IXFP10N60P	IXYS	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IXFP10N60P	IXYS	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IXFP10N60P	IXYS艾賽斯	1636+	TO-220	1658	代理品牌	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXFP10N60P	ON/安森美	23+	DPAK	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFP10N60P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	IXFP10N60P	IXYS/艾賽斯	2021+	SMD	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價

更多IXFP10N60P供應(yīng)商更新時間2024-12-26 18:53:00

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