亚洲丁香婷婷久久一区二区,亚洲中文字幕网站

<mark id="974gq"><center id="974gq"><input id="974gq"></input></center></mark>

<mark id="974gq"><center id="974gq"><input id="974gq"></input></center></mark>

<acronym id="974gq"></acronym>

首頁 >IRL2203>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRL2203	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NL	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF	文件：183.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSTRLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203S	文件：173.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL2203NPBF	文件：192.01 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF_15	文件：192.01 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL2203NSPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF_15	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRL2203
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤思達科技有限公司	IRL2203	IR	15+	TO-220	11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應(yīng)	詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRL2203	IR	05+	TO-220	5000	全新原裝絕對有貨	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL2203	IR	23+	TO-220	35890		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRL2203	IR	23+	TO-220	3000	全新原裝	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRL2203	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IRL2203	IOR	24+	TO-252	2987	絕對全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	IRL2203	IR	23+	NA	146	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRL2203	IR	2020+	TO-220	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRL2203	IR/VISHAY	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRL2203	IR	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價

更多IRL2203供應(yīng)商更新時間2024-12-25 11:04:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號粵公網(wǎng)安備 44030402000933號