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IRL530NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530NPBF

Adavanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRL530NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530NS

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530NS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRL530NSL

lAdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

AdavancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRL530S

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRL530S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRL530STRRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLI530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLI530G

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530G

Logic-LevelGateDrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI530GPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRL530NPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
詢價
Infineon Technologies
24+
TO-220AB
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
INFINEON/IR
21+
NA
700
只做原裝,假一罰十
詢價
IR
24+
TO-220
37
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價
INFINEON
23+
TO-220-3
8000
只做原裝正品,假一罰十
詢價
INFINEON/英飛凌
21+23+
TO-220
25000
16年電子元件現(xiàn)貨供應商 終端BOM表可配單提供樣品
詢價
INFINEON
22+
sot
7500
原廠批價一手貨源,市場優(yōu)惠價格
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
15000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
詢價
更多IRL530NPBF供應商 更新時間2024-10-26 14:02:00