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IRL2203NS	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL2203NSPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSTRLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NSPBF_15	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203S	文件：173.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.007ohm,Id=100A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.010ohm,Id=52A?? Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203G	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.010ohm,Id=52A?? Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRL2203NS
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	IRL2203NS	IR	ROHS全新原裝	TO-263	9782	原裝現(xiàn)貨在線咨詢樣品※技術(shù)支持專業(yè)電子元器件授權(quán)	詢價(jià)
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更多IRL2203NS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-22 16:10:00

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