IRL2203NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL2203NS規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL2203NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
D2-PAK(TO-263) |
8000 |
只做原裝支持實單,有單必成。 |
詢價 | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
28355 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
3000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO263 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501449 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
詢價 |
