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IRL2203NSTRLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203S	文件：173.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.007ohm,Id=100A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.010ohm,Id=52A?? Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203G	文件：328.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.010ohm,Id=52A?? Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203N	文件：113.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=30VR DS(on)=0.007? ID=61A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRLI2203NPBF	文件：1.61932 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=30VR DS(on)=0.007? ID=61A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
KSR2203	文件：64.129 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=22K?,R2=22K?) ?ComplementtoKSR1203	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
LP2203	文件：271.09 Kbytes Page：3 Pages	CITSWITCH	CIT CIT Relay & Switch	CIT
LP2203	文件：392.2 Kbytes Page：8 Pages	200mA,DualChannelUltra-FastCMOSLDORegulator	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
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LX2203	文件：187.12 Kbytes Page：11 Pages	Li-IonBatteryCharger DESCRIPTION TheLX2203isatinylinearbatterychargerforLithiumIonorLithiumPolymerbatteries.TheLX2203includesbuiltinMOSFET,accuratecurrentandvoltageregulation,reverseblockingprotection,overtemperaturecontrol,andchargestatusindicator.Theaccurateprogrammablecharge	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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更多IRL2203NSTRLPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 11:04:00

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