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IRL630SPBF	文件：1.55025 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableof	IRF International Rectifier	IRF
IRL630SPBF	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630STRLPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL630STRRPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLHM630	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：241.21 Kbytes Page：9 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630TRPBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI630G	文件：337.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=6.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630G	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630GPBF	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLS630A	文件：282.84 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=6.5A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLS630A	文件：264.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRL630SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRL630SPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRL630SPBF	IR	24+	D2-pak	20000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRL630SPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-263	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRL630SPBF	IR	24+	TO-263	501495	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRL630SPBF	IR	20+	TO-263	10000		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRL630SPBF	IR	2016+	TO-263	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRL630SPBF	VISHAY/IR	16+	原廠封裝	50	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRL630SPBF	VISHAY	23+	D2Pak	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	IRL630SPBF	VISHAY	11+	D2-PAK(TO-263)	2000	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRL630SPBF	IR	2020+	原廠封裝	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)

更多IRL630SPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 18:50:00

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