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IRFR130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFR130A	文件：373.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR130ATM	文件：263.56 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Rugged Technology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFR130ATM	文件：979.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFRU130A	文件：261.31 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS130	文件：265.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFU130A	文件：397.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFY130	文件：18.73 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY130C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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IRFY130CM	文件：338.54 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14.4A) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY130M	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130M	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRKT130	文件：1.46026 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
IRLR130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR130A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	IRFR130A	VBSEMI	19+	DPAK	28743		詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRFR130A	IR	06+	TO-252	15000	原裝	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFR130A	FAIRCHILD	23+	TO-252	9526		詢價
深圳市凌旭科技有限公司	IRFR130A	FSC	2016+	SOT-252	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFR130A	IR	23+	原廠原裝	4000	全新原裝	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFR130A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳宇航軍工半導體有限公司	IRFR130A	FAIRCHILD	19+	TO-252	74964	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
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中天科工半導體（深圳）有限公司	IRFR130A	IR/VISHAY	20+	TO-252	36900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價

更多IRFR130A供應商更新時間2025-1-18 16:04:00

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