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IRFU130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU130A	文件：397.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY130	文件：18.73 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130CM	文件：338.54 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14.4A) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130CM	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130M	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130M	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRKT130	文件：1.46026 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
IRLR130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLR130A	文件：320.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLRU130A	文件：267.22 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLU130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLU130A	文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFU130A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFU130A	FAIRCHILD/仙童	24+	TO 251	155847	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFU130A	仙童	06+	TO-251	5000	原裝	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFU130A	FAIRCHILD	23+	TO-251	9526		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFU130A	IR/FSC	23+	TO-251	9500	專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFU130A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFU130A	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-251	17888	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFU130A	IR	22+	TO-251	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市宏世佳電子科技有限公司	IRFU130A	IR	2023+	TO-251	4675	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFU130A	IR	23+	TO-251	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFU130A	IR	23+	TO-251	7000		詢價(jià)

更多IRFU130A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 19:10:00

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