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IRFR13N20DPBF

SMPSMOSFET

Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR13N20DPBF

SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A)

Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFR13N20DPBF

HIGHFREQUENCYDC-DCCONVERTERS

IRF

International Rectifier

IRFR13N20DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFR13N20DTRLP

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFR13N20DTRPBF

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRFR13N20DTRPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU13N20D

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A)

Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU13N20D

SMPSMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU13N20D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFU13N20DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU13N20DPBF

SMPSMOSFET

Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU13N20DPBF

SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A)

Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFR13N20DCTRRP

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFR13N20DCTRRP供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 14:49:00

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