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IRFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=7?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60A	文件：227.69 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A) Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A_V01	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptablePowerSupply ●PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60ATR	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60ATRLPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60ATRPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60ATRRPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60A_15	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFR1N60APBF	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60APBF-BE3AB	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60ATRLPBFA	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR1N60ATRPBFA	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR1N60A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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