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IRFR220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR220A	文件：321.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR220B	文件：665.75 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR220B	文件：596.55 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-Channelenhancementmodepowerfieldeffect transistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andw	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
IRFR220BTM	文件：1.43474 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR220N	文件：132.73 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=600mohm,Id=5.0A) Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220N	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR220N	文件：3.73907 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220N	文件：1.03454 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65 Application Load/PowerSWwitching InterfacingSwitching BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFR220NPBF	文件：220.96 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NPBF	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRLPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NTRR	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220NTRRPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.85874 Mbytes Page：11 Pages	HEXFEPPowerMOSFET HEXFEP?PowerMOSFETVdss=200VRDS(on)=0.80?ID=4.8A	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR220PBF	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR220,118
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
TrenchMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市易訊博科技有限公司	IRFR220,118	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRFR220,118	NXP USA Inc.	2022+	TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價
上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳電子）	IRFR220/IRFR220N	PHI	2023+	D-PAK	4750	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR2200NPBF	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFR2200NPBF	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFR2200NPBF	IR	23+		7000		詢價
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	IRFR220119	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	IRFR220119		24+	N/A	56000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFR220-252	IR	23+	TO-252	13490	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRFR2209A	INTERSIL	05+	原廠原裝	11716	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價

更多IRFR220,118供應(yīng)商更新時間2025-1-4 10:08:00

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