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IRFR1N60ATRRPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRFU1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1N60A	文件：341.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=7?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptablePowerSupply ●PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU1N60APBF	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
JCS1N60C	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60NC-O-N-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS1N60R-O-R-N-B	文件：1.3952 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
JCS1N60VC-O-V-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JMP1N60A	文件：235.033 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMP1N60A	文件：235.033 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K1N60SA	文件：300.13 Kbytes Page：7 Pages	TRIAC(SiliconBidirectionalThyristor)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KF1N60D	文件：614.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=1A ?RDS(ON)=10?(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR1N60ATRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	IRFR1N60ATRRPBF	VISHAY	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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更多IRFR1N60ATRR供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

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