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STGYA50H120DF2

Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?5μsofshort-circuitwithstandtime ?LowVCE(sat)=2.1V(typ.)@IC=50A ?Tightparameterdistribution ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Veryfastrecoveryantiparalleldiode Description T

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGYA50H120DF2

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGYA50H120DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    2mJ(開),2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    40ns/284ns

  • 測試條件:

    600V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STGYA50H120DF2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-12 16:31:00