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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MJE170G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage? VCEO(sus)=40Vdc?MJE170,MJE180 =60Vdc?MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE170G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 ??60 ??80 VOLTS 12.5 WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE170G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 40V 3A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE170-TU	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
MLM-170	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170D	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170G	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170HR	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170PG	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170R	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170SD	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170UG	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170UR	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170Y	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170YG	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MMBF170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：62.76 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBF170	文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：140.38 Kbytes Page：2 Pages	0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMBF170	文件：873.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MJE170G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.7V @ 600mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 100mA，1V
頻率 - 躍遷：
50MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
描述：
TRANS PNP 40V 3A TO126

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司	MJE170G	ONSEMI	22+	TO-126	5000	現(xiàn)貨原裝假一賠十	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJE170G	onsemi(安森美)	23+	TO-225	1259	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MJE170G	onsemi	24+	TO-225AA,TO-126-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	MJE170G	ON	22+	NA	518000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
上?；嗜A信息科技有限公司	MJE170G	onsemi	2133	NA	7500	自營現(xiàn)貨,只做正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJE170G	ON	24+	TO-225	8866		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MJE170G	ON	2016+	TO-225AA	6528	只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個(gè)別型號(hào)可以免費(fèi)送樣品!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	MJE170G	ON	23+	TO-225AA	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	MJE170G	ON	11+		184	原裝正品長期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	MJE170G	ONSEMICONDU	16+	原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨	500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)

更多MJE170G供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 9:51:00

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