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MJE2955TG	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS?75WATTS MJE2955T(PNP) MJE3055T(NPN) Thesedevicesaredesignedforuseingeneral?purposeamplifierandswitchingapplications. Features ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentGain?BandwidthProduct?fT=2.0MHz(Min	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE2955TG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 60V 10A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE2955TG-TA3-T	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJE2955TG-TA3-T	文件：168.92 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJE2955TG-TN3-R	文件：161.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJE2955TG-TN3-R	文件：168.92 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MJE2955TPNP	文件：279.05 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS WithexcellentSafeOperatingArea,idealforHi-FiAmplifierandSwitchingRegulatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopular	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJF2955	文件：156.43 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS30WATTS ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJF2955	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJF2955G	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMFT2955E	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	TMOSMEDIUMPOWERFET1.2AMP60VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT2955E	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MSU2955	文件：71.36 Kbytes Page：1 Pages	8-BitMicro-controller 8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽電子臺灣茂矽電子股份有限公司	MOSEL
MTD2955E	文件：243.69 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2955E	文件：346.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD2955E	文件：213.25 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffect	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD2955V	文件：148.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistorDPAKForSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2955V	文件：380.7 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTD2955V	文件：74.89 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET12A,60VP-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJE2955TG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
管件
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
700μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
頻率 - 躍遷：
2MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS PNP 60V 10A TO220

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJE2955TG	onsemi(安森美)	23+	TO-220	942	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MJE2955TG	onsemi	24+	TO-220-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	MJE2955TG	ON	23+	TO220AB	56000		詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	MJE2955TG	ON/安森美	24+	TO220	704	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對優(yōu)勢	詢價(jià)
海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	MJE2955TG	ON	24+	TO220AB	14950		詢價(jià)
深圳市芯球通科技有限公司	MJE2955TG	ON(安森美)	23+	TO-220-3	12461	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJE2955TG	ON	24+	TO-2203LEADSTANDA	8866		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	MJE2955TG	ON	17+	TO-220	6200		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MJE2955TG	ON	2016+	3TO-220	6528	只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個(gè)別型號可以免費(fèi)送樣品!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	MJE2955TG	ON	23+	TO-220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)

更多MJE2955TG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 23:00:00

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