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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IXGT30N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 200W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60B2	文件：583.54 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60B2D1	文件：606.36 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT HiPerFAST?IGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features ●MediumfrequencyIGBT ●SquareRBSOA ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60BD1	文件：114.38 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTM IGBT with Diode Features ?Internationalstandardpackage ?ModeratefrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?NewestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60BU1	文件：141.09 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode HiPerFASTTMIGBTwithDiode CombiPack Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247SMDsurface mountableandJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBTandantiparallel FREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?NewestgenerationHDMOSTM process ?MOSGa	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 70A 190W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT30N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 70A 190W TO268	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60A	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60B	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60C	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM30N60	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM30N60A	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60B	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60C	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：372.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IXGT30N60B
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
HiPerFAST?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
開(kāi)關(guān)能量：
1.3mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
25ns/130ns
測(cè)試條件：
480V，30A，4.7 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 60A 200W TO268

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXGT30N60B	IXYS/艾賽斯	23+	TO-268	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXGT30N60B	IXYS	22+	TO268	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXGT30N60B	IXYS	21+	TO268	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXGT30N60B	IXYS	23+	TO268	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXGT30N60B	IXYS	2022+	TO-268	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXGT30N60B	IXYS	24+	TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXGT30N60B2D1	IXYS	24+	TO-268	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXGT30N60BD1	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGT30N60BU1	IXYS	24+	TO-268	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IXGT30N60BD1	IXYS/艾賽斯	23+		21368	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)

更多IXGT30N60B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-30 14:30:00

產(chǎn)品屬性

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