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IXGX60N60B2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features ?SquareRBSOA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Uninterrup

IXYS

IXYS Corporation

IXGX60N60B2D1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 變式 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 75A 500W PLUS247

IXYS

IXYS Corporation

60N60B2D1

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

IXYS

IXYS Corporation

IXGK60N60B2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features ?SquareRBSOA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Uninterrup

IXYS

IXYS Corporation

IXGR60N60B2D1

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGX60N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    28ns/160ns

  • 測試條件:

    400V,50A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 500W PLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
2016+
TO-247
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)
IXYS
2018+
TO247
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承若只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!
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IXYS
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IXYS
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12588
原裝現(xiàn)貨,量大可定
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IXYS/艾賽斯
22+
TO247
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原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
IXYS
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TO-247
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公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
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IXYS/艾賽斯
22+
TO247
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
21+
TO247
25
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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原裝
1923+
TO-247
8900
公司原裝現(xiàn)貨特價(jià)長期供貨歡迎來電咨詢
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
更多IXGX60N60B2D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 22:58:00