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IXGX50N120C3H1

GenX3 1200V IGBTs w/ Diode

High-SpeedPTIGBTs for20-50kHzSwitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?AvalancheRated ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Appli

IXYS

IXYS Corporation

IXGX50N120C3H1

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 95A 460W PLUS247

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IXYS Corporation

IXGK50N120C3H1

GenX31200VIGBTsw/Diode

High-SpeedPTIGBTs for20-50kHzSwitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?AvalancheRated ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Appli

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IXYS Corporation

IXGN50N120C3H1

High-SpeedPTIGBTfor20-50kHzSwitching

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGX50N120C3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4.2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    2mJ（開），630μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    31ns/123ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 95A 460W PLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGX50N120C3H1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-30 10:18:00

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