无限资源在线观看视频免费播放,欧美性色欧美A在线播放,酷猫电影网

首頁(yè) >IXTQ30N60P>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IXTQ30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTT30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60P	文件：276.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTV30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60PS	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
K30N60HS	文件：435.61 Kbytes Page：14 Pages	HIGHSPEEDIGBTINNPT-TECHNOLOGY HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF30N60KDA	文件：1.57088 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGF30N60PA	文件：1.41679 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MGW30N60	文件：214.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGY30N60D	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	Motorola Motorola, Inc	Motorola
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：180.9 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：139.87 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N60SWG	文件：98.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG30N60FLWG	文件：174.45 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTG30N60FWG	文件：175.33 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTQ30N60P
功能描述：
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	24+	TO-3P	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	24+	TO-3P	8866		詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	23+	TO-3P	5000	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	2020+	TO-3P	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	IXTQ30N60P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	90000	只做原廠渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)可提供技術(shù)支持	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	IXTQ30N60P	IXYS/艾賽斯	2021+	TO-3P	100500	一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXTQ30N60P	IXYS	1809+	TO-3P	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXTQ30N60P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	6530	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IXTQ30N60P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多IXTQ30N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 21:12:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存