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IXSH30N60C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXSH30N60C
廠商型號

IXSH30N60C
參數(shù)屬性

IXSH30N60C 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AD
功能描述

High Speed IGBT
IGBT 600V 55A 200W TO247AD
文件大小

131.5 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-27 14:14:00

IXSH30N60C規(guī)格書詳情

IXSH30N60C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXSH30N60C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

Features

● International standard packages

● Short Circuit SOA capability

● High frequency IGBT

● New generation HDMOSTM process

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

● Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

● Surface mountable, high power case

style

● Reduce assembly time and cost

● High power density

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXSH30N60C

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/90ns

  • 測試條件：

    480V，30A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 55A 200W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
24+
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16800
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TO-247
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