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IXGH20N120B

High Voltage IGBT

VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,

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IXYS Corporation

IXGH20N120B

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO247

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IXGH20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

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IXGH20N120BD1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO247

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IXGP20N120

IGBT

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switch-modeand

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IXGP20N120B

HighVoltageIGBTwithDiode

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IXGQ20N120B

HighVoltageIGBTwithDiode

Features ●Internationalstandardpackage ●IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages ●Savesspace(two

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IXGT20N120

IGBT

VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=2.5V tfi(typ)=380ns Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247andTO-268 ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoan

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IXYS Corporation

IXGT20N120B

HighVoltageIGBT

VCES=1200V IC25=40A VCE(sat)=3.4V tfi(typ)=160ns Features ?HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceand JEDECTO-247AD ?Lowswitchinglosses,

IXYS

IXYS Corporation

MGW20N120

InsulatedGateBipolarTransistor

InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH20N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.4V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/150ns

  • 測試條件：

    960V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 190W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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更多IXGH20N120B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 16:20:00

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