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IXGH30N60B

HiPerFASTTM IGBT

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268surface mountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOS?process ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60B

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60B2

HiPerFAST IGBT

Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60B2D1

HiPerFAST IGBT

HiPerFAST?IGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features ●MediumfrequencyIGBT ●SquareRBSOA ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switch

IXYS

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IXGH30N60B4

High-Gain IGBT

Medium-SpeedPTTrenchIGBT Features OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses SquareRBSOA InternationalStandardPackage

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60BD1

HiPerFASTTM IGBT with Diode

Features ?Internationalstandardpackage ?ModeratefrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?NewestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60BU1

HiPerFAST IGBT with Diode

HiPerFASTTMIGBTwithDiode CombiPack Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-247SMDsurface mountableandJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBTandantiparallel FREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?NewestgenerationHDMOSTM process ?MOSGa

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60B2D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 70A 190W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60B4

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 66A 190W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGM30N60

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH30N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    1.3mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/130ns

  • 測試條件：

    480V，30A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 200W TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGH30N60B供應商 更新時間2025-2-22 10:20:00

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