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IXGA30N120

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXGA30N120B3

GenX3 1200V IGBTs

VCES=1200V IC110=30A VCE(sat)≤￡3.5V tfi(typ)=204ns High-SpeedLow-VsatPT IGBTs3-20kHzSwitching Features OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses SquareRBSOA InternationalStandardPackages Applications PowerInverters UPS MotorDri

IXYS

IXYS Corporation

IXGA30N120B3

High-Speed Low-Vsat IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·PowerInverters ·UPS ·MotorDrives ·SMPS ·PFCCircuits ·WeldingMachines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KGT30N120NDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT30N120NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

NGTB30N120IHLWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB30N120IHRWG

IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB30N120IHSWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB30N120LWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RLPGB30N120CT

IGBT

Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLPGB30N120LCT

IGBT

Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCT30N120

Lowcapacitance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW30N120KD

30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW30N120KD

30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA30N120KD

30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXGA30N120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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更多IXGA30N120供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 16:06:00

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