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IRL3803S

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A??

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803S

Logic-Level Gate Drive

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IRF

International Rectifier

IRL3803SPBF

HEXFET? Power MOSFET

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IRF

International Rectifier

IRL3803SPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803STRL

Logic-Level Gate Drive

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803STRRPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL3803SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL3803V

HEXFETPowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRL3803V

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode ?Fa

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRL3803S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
23+
TO-263
65400
詢價(jià)
IR
24+
D2-pak
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
IR
22+
D2-PAK
9865
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
24+
TO 263
161357
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
IR
25+
TO-263
6500
十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送
 詢價(jià)
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價(jià)
ir
06+
TO-263
15000
原裝庫存
 詢價(jià)
IOR
24+
TO263
255
詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
2000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多IRL3803S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-31 17:19:00

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